AON2810是一款由Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用小尺寸的DFN1x1-6L封装形式,特别适合在空间受限的应用中使用。AON2810具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效地减少功率损耗并提升效率,广泛适用于消费类电子、通信设备以及计算机外设等领域的开关和负载驱动应用。
AON2810设计用于低压电源管理场景,其工作电压范围为0至30V,可承受的最大漏源极电压为30V。由于其出色的电气性能和紧凑的封装结构,这款MOSFET非常适合便携式电子产品和其他对能效和体积要求较高的应用场景。
最大漏源极电压(Vds):30V
最大栅源极电压(Vgs):±8V
最大漏极电流(Id):5.7A
导通电阻(Rds(on)):45mΩ @ Vgs=4.5V
导通电阻(Rds(on)):65mΩ @ Vgs=2.5V
栅极电荷(Qg):6nC
总功耗(Ptot):470mW
结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃
AON2810具备以下显著特性:
1. 极低的导通电阻确保了高效的功率传输,从而减少了发热和能源浪费。
2. 小巧的DFN1x1-6L封装极大地节省了PCB板上的空间,使它成为小型化设计的理想选择。
3. 宽泛的工作电压范围使其可以兼容多种不同的电路架构。
4. 高速开关能力得益于较低的栅极电荷,有助于降低开关损耗。
5. 良好的热稳定性允许器件在较宽的温度范围内可靠运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特点共同使得AON2810成为众多便携式设备及高效电源管理系统的优选方案。
AON2810的主要应用领域包括:
1. 移动设备中的负载开关控制,例如智能手机、平板电脑和便携式媒体播放器。
2. 在DC/DC转换器中作为同步整流开关元件,以提高转换效率。
3. 电池保护电路,防止过充或过放情况的发生。
4. USB端口保护和快速充电解决方案。
5. 电机驱动控制,如微型风扇、振动马达等。
6. 各种类型的消费类电子产品中的信号切换与电源管理任务。
由于其低导通电阻和紧凑封装,AON2810尤其适合需要高效率和小尺寸的应用场合。
AON2809, AON2808, AO3400