类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　最大漏源电压（VDS）：400V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.5Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

FQP4N40 MOSFET 具有以下几个显著的特性：
　　首先，其漏源电压高达400V，使其能够在高电压环境下稳定工作，适用于诸如开关电源和功率因数校正（PFC）电路等高压应用。
　　其次，FQP4N40 的导通电阻（RDS(on)）为2.5Ω，在VGS为10V时，该值相对较低，可以有效减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
　　此外，该器件具有较高的最大功率耗散能力（50W），可在较高负载条件下工作，适应较为严苛的工作环境。其TO-220封装形式也有助于良好的散热性能。
　　在栅极驱动方面，FQP4N40 支持±30V的栅源电压，提高了在不同驱动电路中的兼容性，同时也增强了抗干扰能力。
　　最后，FQP4N40具备良好的热稳定性，工作温度范围宽（-55°C至+150°C），适合在工业级环境温度下运行，提高了系统的可靠性。

FQP4N40 主要用于需要中高功率开关能力的场合。例如，在开关电源（SMPS）中作为主开关管，能够高效地控制能量传输；在DC-DC转换器中用于调节输出电压，实现高效率的能量转换；还可用于马达驱动电路中，作为H桥结构中的功率开关元件，实现对马达方向和速度的控制。
　　此外，FQP4N40也适用于逆变器、不间断电源（UPS）、功率因数校正（PFC）模块等电力电子设备。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热性能，因此在工业控制、自动化设备、LED照明驱动电源等应用场景中也有广泛使用。
　　在设计中，使用FQP4N40时需注意散热设计，例如加装散热片或使用强制风冷，以确保其在高负载下仍能保持良好的工作稳定性。

IRF740, FQA4N40, 2SK2225, STP4NK50Z