FQP4N40 是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达控制和各种高电压高电流的功率开关场合。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻以及优异的热性能,适合在中高功率应用中使用。
类型:N沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):4.1A
最大漏源电压(VDS):400V
最大栅源电压(VGS):±30V
导通电阻(RDS(on)):2.5Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220
FQP4N40 MOSFET 具有以下几个显著的特性:
首先,其漏源电压高达400V,使其能够在高电压环境下稳定工作,适用于诸如开关电源和功率因数校正(PFC)电路等高压应用。
其次,FQP4N40 的导通电阻(RDS(on))为2.5Ω,在VGS为10V时,该值相对较低,可以有效减少导通状态下的功率损耗,提高系统效率。
此外,该器件具有较高的最大功率耗散能力(50W),可在较高负载条件下工作,适应较为严苛的工作环境。其TO-220封装形式也有助于良好的散热性能。
在栅极驱动方面,FQP4N40 支持±30V的栅源电压,提高了在不同驱动电路中的兼容性,同时也增强了抗干扰能力。
最后,FQP4N40具备良好的热稳定性,工作温度范围宽(-55°C至+150°C),适合在工业级环境温度下运行,提高了系统的可靠性。
FQP4N40 主要用于需要中高功率开关能力的场合。例如,在开关电源(SMPS)中作为主开关管,能够高效地控制能量传输;在DC-DC转换器中用于调节输出电压,实现高效率的能量转换;还可用于马达驱动电路中,作为H桥结构中的功率开关元件,实现对马达方向和速度的控制。
此外,FQP4N40也适用于逆变器、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)模块等电力电子设备。由于其具备高耐压、低导通电阻和良好的热性能,因此在工业控制、自动化设备、LED照明驱动电源等应用场景中也有广泛使用。
在设计中,使用FQP4N40时需注意散热设计,例如加装散热片或使用强制风冷,以确保其在高负载下仍能保持良好的工作稳定性。
IRF740, FQA4N40, 2SK2225, STP4NK50Z