晶体管类型：双NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大30V
　　集电极电流（Ic）：最大100mA
　　功耗（Pd）：最大200mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-323（SC-70）
　　增益（hFE）：在Ic=2mA时，最小值为110（根据等级不同而变化）

LBAS70-04LTIG具备多项高性能特性，使其在各类电子电路中表现出色。首先，其采用双晶体管封装设计，允许在单一芯片上实现两个独立的NPN晶体管操作，这不仅节省了电路板空间，还降低了组件数量和装配成本。每个晶体管具有较高的电流增益（hFE），通常在110至800之间，具体取决于晶体管等级，使其适合低噪声放大器、电流开关和逻辑电平转换等应用。
　　其次，该器件的最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极电流为100mA，能够满足一般低功率信号处理需求。此外，其总功耗为200mW，确保在小型封装中仍能保持良好的热稳定性。LBAS70-04LTIG的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应工业级和汽车电子应用的严苛环境要求。
　　另外，LBAS70-04LTIG采用了SOT-323（SC-70）封装，具有极小的占位面积，适用于高密度PCB布局，如智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。该封装还具有良好的热导性和机械稳定性，确保在高频开关和长期运行条件下仍能保持稳定性能。

LBAS70-04LTIG广泛应用于各种电子设备中，尤其适用于需要高效能、低功耗和紧凑布局的设计。其主要应用领域包括便携式电子产品中的信号放大和逻辑电平转换，例如在蓝牙模块、Wi-Fi收发器或传感器接口中作为驱动晶体管使用。由于其双晶体管结构，LBAS70-04LTIG也非常适合用于构建差分放大器、开关电源中的控制电路以及LED驱动电路。
　　在通信设备中，该器件可作为射频（RF）前端的小信号放大器，提高接收灵敏度和信号完整性。在工业自动化和控制系统中，LBAS70-04LTIG可用于驱动继电器、光耦合器或其他执行器，实现高效的开关控制。
　　此外，LBAS70-04LTIG也常用于汽车电子系统，如车身控制模块、仪表盘显示驱动和车载传感器接口，满足汽车环境下的高可靠性和宽温度范围要求。

BC847系列、MMBT3904LT1G、2N3904、2N2222A