IR3Y12B是一种由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理、电机控制和DC-DC转换器等高功率电子系统中。该器件采用了先进的沟槽技术,提供了低导通电阻(RDS(on))和高电流处理能力,从而减少了功率损耗并提高了整体系统效率。IR3Y12B的封装设计使其能够承受较高的工作温度,并确保在高负载条件下的稳定性与可靠性。
类型:功率MOSFET
制造厂商:Infineon Technologies
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
最大漏极电流(ID):120A(在25°C)
RDS(on):约4.5mΩ(最大值,典型值可能更低)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:PowerPAK SO-8双封装或类似高性能表面贴装封装
IR3Y12B具有多项优异的电气和热性能特性。首先,其极低的RDS(on)特性使其在高电流应用中表现出色,能够有效降低导通损耗并提高能效。此外,该MOSFET具备较高的雪崩能量耐受能力,确保在极端工作条件下仍能保持稳定运行。
其次,IR3Y12B采用了先进的封装技术,提供良好的散热性能和机械稳定性,适合在高密度PCB布局中使用。该器件还具有良好的栅极氧化层可靠性,能够在高频率开关应用中保持稳定的性能。
此外,IR3Y12B的高温耐受能力使其适用于汽车电子、工业控制和电源转换等对可靠性要求较高的应用场景。其快速开关特性也有助于提高电源系统的响应速度和效率。
IR3Y12B常用于高性能电源管理系统、同步整流器、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统中的功率控制模块。它在笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电信设备和工业自动化设备中也有广泛应用。
由于其高电流能力和低导通电阻,该MOSFET也适合用于高功率LED驱动器和太阳能逆变器等可再生能源应用。在汽车领域,它可用于车载充电器(OBC)、电动助力转向系统(EPS)和车载信息娱乐系统(IVI)中的功率管理模块。
SiSS120AN-T1-GE3
NVTFS5C471NLWTAG
FDS6680
FDMS86180