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STF10P6F6 发布时间 时间:2025/5/26 17:51:17 查看 阅读:14

STF10P6F6是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款NPN型功率晶体管。该器件采用达林顿结构,具有高增益特性,适用于各种开关和线性应用场合。其设计旨在满足需要高电流驱动能力的电路需求,例如电机控制、继电器驱动以及电源管理等应用。STF10P6F6的工作电压范围宽广,并且具备良好的热稳定性和可靠性。
  该晶体管封装形式通常为TO-220,这种封装有助于提高散热性能,适合在较高功率条件下使用。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:10A
  功耗:75W
  直流电流增益:1000
  过渡频率:1MHz
  存储温度范围:-55℃至175℃
  工作结温:-55℃至150℃

特性

STF10P6F6具有高电流增益,这使得它非常适合于需要低输入电流的应用场景。此外,该晶体管的高耐压能力和较大的电流承载能力使其能够在恶劣环境下可靠运行。
  该器件还具有较低的饱和电压,在导通状态下能够减少功率损耗,从而提升整体效率。
  由于采用了达林顿结构,STF10P6F6可以在微弱信号输入的情况下实现强大的电流放大效果。
  另外,其出色的热稳定性确保了长时间工作的安全性,特别是在高温或大功率应用中表现优异。

应用

STF10P6F6广泛应用于工业自动化设备中的电机驱动和控制电路,比如步进电机和直流电机的启动与停止控制。
  此外,它也被用于继电器驱动、电磁阀控制、电源开关以及各种线性稳压器的设计。
  在汽车电子领域,该晶体管可用于车灯调节、风扇控制以及其他车载电气系统的开关功能实现。
  对于家用电器来说,STF10P6F6可以作为功率放大级元件,用于冰箱压缩机、洗衣机泵等设备的控制电路中。

替代型号

BDW93C
  KSP54C
  TIP120

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STF10P6F6参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列DeepGATE?, STripFET? VI
  • 包装管件
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)10A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)160 毫欧 @ 5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)340 pF @ 48 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包