时间：2025/9/14 23:01:09
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PBHV9414ZX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体）生产的高电压N沟道MOSFET，主要用于需要高电压和高功率处理能力的电源管理和开关应用。该器件采用了先进的TrenchMOS技术，能够在高电压条件下提供优异的导通和开关性能。该MOSFET的封装形式为DFN2020-6（SOT1223），适用于空间受限的高密度设计，同时支持高频率操作，广泛应用于LED照明、电源适配器、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：900V
栅源电压(VGS)：±30V
连续漏极电流(ID)：1.4A（在TC=25°C）
脉冲漏极电流(IDM)：5.6A
导通电阻(RDS(on))：最大值为2.2Ω（在VGS=10V）
栅极电荷(Qg)：典型值为12nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：DFN2020-6（SOT1223）
PBHV9414ZX具备多个关键特性，使其在高电压应用中表现出色。首先，它具有高达900V的漏源击穿电压，适用于需要高耐压的开关电源系统。其次，该器件的RDS(on)在VGS=10V时最大为2.2Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其低栅极电荷（Qg）确保了快速的开关速度，从而减少了开关损耗，使其适用于高频操作环境。
另一个显著特点是该MOSFET的热阻非常低，使得在高负载条件下仍能保持良好的散热性能。封装采用DFN2020-6（SOT1223）无铅封装，符合RoHS和REACH环保标准，适合绿色电子产品的设计需求。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，允许在不同的控制电路中灵活使用，例如与PWM控制器或微控制器配合使用时具有较高的兼容性。此外，该MOSFET具备雪崩能量额定值，能够承受瞬态过压情况，提高了系统的稳定性和可靠性。
PBHV9414ZX广泛应用于多个领域，包括但不限于LED照明系统中的恒流驱动电路、高压DC-DC转换器、电池管理系统、工业自动化设备以及电机控制模块。由于其高耐压和良好的导通性能，该器件特别适合用于隔离式和非隔离式反激变换器设计。此外，该MOSFET还可用于高电压电源开关、充电器、适配器以及家用电器中的电源管理单元。
PBHV8530N, STF9NM85T, SiHP09N90C
