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MRF19125S 发布时间 时间:2025/9/3 15:29:10 查看 阅读:5

MRF19125S是一款高性能的射频功率晶体管,由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,广泛用于高频和超高频(UHF)应用中。该器件采用N沟道增强型横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术制造,具备高功率增益、高效率和出色的线性性能,适用于通信设备、广播系统、测试仪器和其他需要高功率射频输出的场景。

参数

类型:LDMOS RF功率晶体管
  工作频率范围:DC至1 GHz
  最大工作电压:12.5 V
  最大输出功率:250 W(典型值)
  漏极电流(ID):1.2 A(最大值)
  增益:约20 dB(典型值)
  效率:约65%(典型值)
  封装形式:SOT-227(四引脚)
  输入和输出阻抗:50Ω匹配设计
  热阻(RthJC):0.35°C/W(典型值)

特性

MRF19125S具有多项优异的电气和热性能,适合高功率射频应用。
  首先,该晶体管的LDMOS结构提供了出色的射频性能,能够在1 GHz以下频率范围内实现高增益和高效率。其典型的增益为20 dB,效率达到65%,这对于减少散热需求并提高整体系统效率至关重要。
  其次,MRF19125S在高功率输出方面表现出色,其连续波(CW)模式下的输出功率可达250 W,适用于多种高功率放大器设计。该器件的输入和输出端口采用50Ω阻抗匹配设计,简化了与射频系统的集成,降低了设计复杂度并提高了信号传输效率。
  此外,MRF19125S采用SOT-227封装,具有良好的热管理和高可靠性。该封装结构能够有效散热,热阻(RthJC)仅为0.35°C/W,确保器件在高功率工作状态下保持稳定的温度表现,从而延长使用寿命并减少系统维护需求。
  该晶体管还具备良好的线性性能,适用于需要高保真度信号放大的应用,如数字广播、通信中继站和测试设备。其宽频带特性使其能够适应多种工作频率,提升设计的灵活性。
  综上所述,MRF19125S以其高功率、高效率、良好的热稳定性和易于集成的特点,成为众多射频功率放大器设计的理想选择。

应用

MRF19125S主要应用于以下领域:
  1. 广播发射机:用于FM广播和电视广播发射系统,提供高功率放大能力,确保信号覆盖范围广且稳定。
  2. 通信设备:包括蜂窝通信基站、无线中继站等,用于放大射频信号以提高通信质量和传输距离。
  3. 测试与测量仪器:如信号发生器、频谱分析仪等,用于提供高功率射频输出进行设备测试和校准。
  4. 工业控制系统:在工业自动化和远程监控系统中,用于射频识别(RFID)、无线数据传输等应用。
  5. 军事与航空航天:用于雷达系统、通信设备和电子战系统中,满足高可靠性、高性能的射频放大需求。

替代型号

MRF19125S可以替代的型号包括:MRF19120S、MRF19130S、NTE344A、2N6093等。

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