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PUMB3,115 发布时间 时间:2025/9/14 13:36:17 查看 阅读:11

PUMB3,115 是由 Nexperia(安世半导体)生产的一款双极型晶体管(BJT)阵列集成电路,内部集成了多个晶体管元件,通常用于需要高可靠性和紧凑设计的电子电路中。该器件采用 SOT23 封装,适合表面贴装工艺,广泛应用于放大器、开关电路、逻辑电平转换以及各种通用电子系统。

参数

类型:NPN 晶体管阵列
  晶体管数量:2 个独立晶体管
  集电极-发射极电压(Vceo):100 V
  集电极电流(Ic):100 mA
  功耗(Ptot):300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOT23

特性

PUMB3,115 具有良好的电气性能和热稳定性,其双晶体管结构允许设计者在单个封装中实现多个功能,如信号放大或电平转换。该器件的高击穿电压(Vceo = 100 V)使其适用于中高压应用,同时其低功耗设计有助于提高系统效率。
  此外,PUMB3,115 的 SOT23 小型封装不仅节省电路板空间,还提高了装配效率,适合用于便携式设备、工业控制、消费电子和汽车电子等领域。该器件符合 RoHS 环保标准,具备良好的抗静电能力和可靠性。

应用

PUMB3,115 主要用于开关和放大电路,例如在数字逻辑电路中作为电平转换器,或在模拟电路中作为信号放大器。它也常用于驱动 LED、继电器和小型电机等负载,以及在电源管理和接口电路中发挥作用。其高耐压特性使其在工业控制系统和汽车电子中具有广泛的应用场景。

替代型号

PUMD3,115; PBSS4041N; BC847B; 2N3904

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PUMB3,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)4.7k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 1mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)100mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大300mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装6-TSSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934056727115PUMB3 T/RPUMB3 T/R-ND