时间：2025/6/27 2:25:57
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CBR06C149BAGAC是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，属于氮化镓晶体管系列。该型号由知名半导体厂商生产，采用DFN8封装形式，具有高频率、低导通电阻和快速开关速度的特点。它专为高频电源转换应用设计，适用于消费电子、工业设备及通信领域的高效能需求场景。
型号：CBR06C149BAGAC
封装：DFN8
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：2A
导通电阻(Rds(on))：149mΩ
栅极阈值电压(Vth)：1.5V~3V
输入电容(Ciss)：720pF
总电荷(Qg)：45nC
工作温度范围：-55℃~150℃
CBR06C149BAGAC采用先进的氮化镓材料制造，具备卓越的电气性能。
1. 高效率：得益于其低导通电阻特性，可以显著降低导通损耗，从而提升整体系统效率。
2. 快速开关能力：相比传统硅基MOSFET，该器件的开关速度更快，能够支持更高的工作频率，减小无源元件体积。
3. 热稳定性强：能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
4. 小型化设计：DFN8封装使其非常适合空间受限的应用场景。
5. 可靠性高：经过严格的测试流程，确保在各种复杂环境下的可靠运行。
CBR06C149BAGAC广泛应用于多种需要高效能和高频率特性的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)：如适配器、充电器等。
2. 无线充电模块：实现高效的能量传输。
3. LED驱动器：用于精确控制LED亮度和能耗。
4. 工业电源：如不间断电源(UPS)和电机驱动。
5. 充电器及快充方案：满足现代电子设备对快速充电的需求。
6. 太阳能逆变器：提高能量转换效率。
CBR06C150BAGAC
CSD17579Q5A
