时间：2025/9/3 22:05:23
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HY57V561620HT-H是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的DRAM芯片，属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的嵌入式系统、网络设备、工业控制设备和消费类电子产品中。HY57V561620HT-H采用CMOS技术，具有低功耗、高集成度和高稳定性的特点。该芯片的容量为256Mbit，组织结构为16M x 16，支持同步操作，适用于多种高性能计算和数据存储场景。
容量：256Mbit
组织结构：16M x 16
电压：2.3V - 3.6V
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
封装尺寸：54引脚
HY57V561620HT-H具备多项优异特性，确保其在各种复杂环境下的稳定运行。首先，该芯片支持同步操作，能够与系统时钟同步，提高数据传输的精确性和稳定性。其次，其工作电压范围较宽（2.3V至3.6V），适应性强，可在不同电源条件下正常工作。此外，该芯片支持64ms自动刷新周期，确保数据在断电前的完整性，适用于需要长时间运行的系统。该芯片采用CMOS技术制造，功耗较低，适用于对功耗敏感的应用场景。HY57V561620HT-H的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适合在恶劣环境中使用。其TSOP封装形式具有良好的散热性能和较高的封装密度，适合在空间受限的应用中使用。
HY57V561620HT-H广泛应用于各种高性能和嵌入式系统中。例如，它常用于工业自动化控制系统、网络路由器和交换机、通信设备、消费类电子产品（如数字电视和机顶盒）、图像处理设备以及嵌入式计算平台。由于其高稳定性和宽工作温度范围，该芯片特别适合在工业和通信设备中作为主存储器或高速缓存使用。
IS42S16400F-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、K4S561632K-F
