时间：2025/5/28 20:42:01
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STD90N4F3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于高效率开关电源、DC/DC转换器和电机驱动等应用场合。其主要特点是低导通电阻和较高的电流处理能力，适合需要高效能和低功耗的电路设计。
STD90N4F3的设计目标是提供一种在中低压应用场景下表现出色的功率开关解决方案，能够在高频开关条件下维持较低的传导损耗和开关损耗。
最大漏源电压Vds：40V
最大漏极电流Id：90A
导通电阻Rds(on)：4mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷Qg：75nC（典型值）
输入电容Ciss：2500pF（典型值）
工作结温范围Tj：-55℃至+175℃
封装形式：TO-220
STD90N4F3具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流（90A），使其能够承受较大的负载需求。
3. 快速开关性能，得益于相对较小的栅极电荷和优化的内部结构。
4. 广泛的工作温度范围（-55℃至+175℃），确保在极端环境下的可靠运行。
5. 热稳定性好，支持长时间连续工作而不易过热。
6. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
STD90N4F3广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC/DC转换器，特别是降压拓扑中的功率开关。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制开关。
5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
6. 各类需要大电流、低损耗功率开关的应用场景。
IRLB8748PBF, FDP158N4S
