时间：2025/6/13 14:15:11
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NV1206B223K102CEGN 是一款由 Vishay 公司生产的高效能功率 MOSFET 芯片，属于 SiHF 系列。该芯片采用 N 沟道增强型设计，适用于高频率、高效率的开关应用场合。其优化的结构使其在低导通电阻和快速开关性能之间取得了良好的平衡，非常适合于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等应用领域。
该器件具有出色的热性能和电气性能，同时具备较高的雪崩击穿能力，确保了在恶劣工作环境下的可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：48A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
总电容：1350pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247-3
NV1206B223K102CEGN 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可显著降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频应用场合。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 支持高电流操作，能够承受高达 48A 的连续漏极电流。
5. 宽广的工作温度范围 (-55°C 到 +175°C)，适用于各种极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
7. 封装坚固耐用，便于散热管理。
NV1206B223K102CEGN 广泛应用于需要高性能功率转换的场景，具体应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关元件。
2. 同步整流电路中的关键功率器件。
3. 电动车辆 (EV/HEV) 中的电机驱动和逆变器模块。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理单元。
6. 通信设备中的高效功率转换模块。
由于其卓越的性能和可靠性，这款 MOSFET 在要求严格的工业级和汽车级应用中表现出色。
NV1206B223K102CEG, IRFB4110PBF, FDP15N65S
