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DMA10IM1200UZ 发布时间 时间:2025/8/28 19:12:39 查看 阅读:6

DMA10IM1200UZ 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的绝缘栅双极晶体管(IGBT),属于功率半导体器件。这款 IGBT 专为高电压和高电流应用设计,适用于工业电机驱动、电源转换器、可再生能源系统等高功率应用场景。该器件采用了先进的沟道栅技术和场截止设计,从而实现了更低的导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。DMA10IM1200UZ 采用紧凑的封装形式,便于在高功率密度设计中使用,并且具备良好的热管理和短路耐受能力。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:1200V
  最大集电极电流:10A
  导通电压:约2.1V(@25°C)
  开关损耗:典型值为 0.6mJ(开通)和 1.2mJ(关断)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220
  栅极阈值电压:约6V
  短路耐受能力:有
  热阻:约60K/W

特性

DMA10IM1200UZ IGBT 具有多个关键特性,使其在高功率应用中表现出色。首先,其最大集电极-发射极电压为 1200V,能够支持高电压操作,适用于各种高压电源和电机控制应用。其次,该器件的最大集电极电流为 10A,能够承受较大的负载电流,满足高功率输出需求。导通电压约为 2.1V,在同类器件中表现良好,有助于降低导通损耗,提高能效。
  在开关性能方面,DMA10IM1200UZ 的开通损耗和关断损耗分别约为 0.6mJ 和 1.2mJ,较低的开关损耗使其适用于高频开关应用,减少整体能耗。此外,该 IGBT 具备良好的短路耐受能力,能够在异常工作条件下提供更高的可靠性和安全性。工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适应多种恶劣环境条件,适用于工业级和汽车级应用。
  该器件采用 TO-220 封装,便于散热和安装,适用于标准的 PCB 布局。热阻约为 60K/W,表明其具有良好的热管理性能,有助于提高器件的稳定性和使用寿命。栅极阈值电压约为 6V,确保稳定的导通和关断控制。DMA10IM1200UZ 还具有较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于简化系统设计并提高整体电磁兼容性。

应用

DMA10IM1200UZ IGBT 适用于多种高功率电子系统,特别是在需要高效能和高可靠性的应用中。常见应用包括工业电机驱动、逆变器、UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、电焊设备和电动汽车充电系统等。在工业自动化和电机控制领域,该器件可用于构建高性能的变频器和伺服驱动器,提高系统的能效和响应速度。在可再生能源领域,如太阳能发电和风力发电系统中,DMA10IM1200UZ 可用于 DC-AC 逆变器,将电池或光伏板的直流电转换为交流电供电网使用。此外,该器件也适用于高频电源转换器和开关电源(SMPS),在这些应用中能够提供优异的效率和稳定性。其高耐压和大电流能力使其成为电动汽车充电设备中的理想选择,能够处理高压电池组的充放电过程。

替代型号

FGA10N120ANTD, IKW10N120CS6, STGY10NC120HDG

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