时间：2025/7/19 3:09:25
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STD80N4F6是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适合于高效率和高密度的电力电子设计。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：40V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：160W
封装：TO-220FP
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
STD80N4F6 MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件的热阻较低，能够在高电流负载下保持稳定的性能，具备良好的热稳定性。
其封装设计（TO-220FP）提供了优良的散热能力，适合高功率密度的应用场景。此外，该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与标准逻辑电路兼容，简化了驱动电路的设计。
在可靠性方面，STD80N4F6具备较强的短路耐受能力，并且在高温环境下依然能够保持良好的性能，适合工业级和汽车电子应用。
该MOSFET常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制、电源开关、UPS系统以及汽车电子中的功率控制模块。在服务器电源、工业自动化设备和新能源系统（如太阳能逆变器）中也有广泛应用。
STP80N4F6AG, FDP80N40L, IRFZ44N
