AON6926是Alpha & Omega Semiconductor(万代半导体)推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN3x3-8L封装,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于需要高效能和小尺寸的应用场景。AON6926适合在消费电子、通信设备及计算机外设等领域中作为功率开关或负载开关使用。
这款MOSFET的工作电压范围较宽,能够承受高达30V的漏源电压,并且具备较低的栅极电荷,使其非常适合高频开关应用。其低导通电阻特性有助于减少传导损耗并提高整体系统效率。
型号:AON6926
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±8V
最大连续漏电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg):8nC
总电容(Ciss):1580pF
极间电容(Coss):120pF
工作温度范围(Tj):-55°C to +150°C
封装形式:DFN3x3-8L
AON6926的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)为1.7mΩ),可以有效降低功耗,提高系统效率。
2. 高速开关能力,得益于较小的栅极电荷(Qg=8nC),使得它非常适合高频应用。
3. 小巧的DFN3x3-8L封装,节省了印刷电路板的空间,非常适合便携式设备和其他空间受限的设计。
4. 较宽的工作电压范围(最高30V),适应多种电源管理需求。
5. 良好的热稳定性,在较高的结温范围内仍能保持稳定的性能。
6. 符合RoHS标准,环保且可靠。
AON6926通过其高效的性能和紧凑的封装设计,成为众多电源转换和负载开关应用的理想选择。
AON6926广泛应用于以下领域:
1. 消费电子产品中的DC/DC转换器和开关模式电源(SMPS)。
2. 笔记本电脑和平板电脑中的负载开关。
3. 手机及其他便携式设备中的电池管理。
4. 电机驱动和背光驱动中的功率控制。
5. 通信设备中的信号切换。
由于其低导通电阻和高效率特性,AON6926在各种需要高性能功率开关的场合都表现出色。
AON6927,AON6928,AON6929