CED20P06 时间：2025/7/1 1:24:00 阅读：21

CEDMOSFET，采用TO-252封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能功率开关的应用场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率性能，同时具备良好的热稳定性和耐用性。

参数

型号：CED20P06
　　类型：N沟道功率MOSFET
　　封装：TO-252
　　Vds（漏源极电压）：60V
　　Rds(on)（导通电阻）：15mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　Id（连续漏极电流）：20A
　　Vgs（栅源极电压）：±20V
　　f（工作频率范围）：最高可达500kHz
　　功耗：约3W（最大值）
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

CED20P06具有较低的导通电阻Rds(on)，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
　　其较高的连续漏极电流容量使其能够胜任大电流应用需求。
　　此外，该器件还具备快速开关速度，可以适应高频应用场景，例如开关电源和DC-DC转换器。
　　CED20P06采用标准TO-252封装，便于安装和散热管理。
　　其工作温度范围较广，能够在极端条件下保持稳定运行，适用于工业和汽车环境中的各种应用。

应用

CED20P06广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
　　2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
　　3. 负载开关或保护电路中的电子保险丝。
　　4. 电机驱动器中的功率级开关。
　　5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
　　6. 汽车电子系统中涉及高压/大电流切换的操作。
　　7. 各类消费类电子产品中的高效能功率管理单元。