CEDMOSFET,采用TO-252封装形式。该器件主要用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能功率开关的应用场景。其设计旨在提供低导通电阻和高效率性能,同时具备良好的热稳定性和耐用性。
型号:CED20P06
类型:N沟道功率MOSFET
封装:TO-252
Vds(漏源极电压):60V
Rds(on)(导通电阻):15mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
Id(连续漏极电流):20A
Vgs(栅源极电压):±20V
f(工作频率范围):最高可达500kHz
功耗:约3W(最大值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
CED20P06具有较低的导通电阻Rds(on),这有助于减少传导损耗并提高整体效率。
其较高的连续漏极电流容量使其能够胜任大电流应用需求。
此外,该器件还具备快速开关速度,可以适应高频应用场景,例如开关电源和DC-DC转换器。
CED20P06采用标准TO-252封装,便于安装和散热管理。
其工作温度范围较广,能够在极端条件下保持稳定运行,适用于工业和汽车环境中的各种应用。
CED20P06广泛应用于多种领域,包括但不限于以下方面:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC转换器中的功率开关元件。
3. 负载开关或保护电路中的电子保险丝。
4. 电机驱动器中的功率级开关。
5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
6. 汽车电子系统中涉及高压/大电流切换的操作。
7. 各类消费类电子产品中的高效能功率管理单元。
CED20P06L, IRFZ44N, FDP17N6S