STD5NK40Z-1是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源转换应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及电池充电系统。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压,能够提供出色的功率处理能力和能效。该MOSFET采用TO-220封装,便于散热和安装,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道
漏源电压(Vds):400V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):5A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω(最大)
功率耗散(Ptot):40W
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
封装类型:TO-220
STD5NK40Z-1具有多种优良的电气和热性能,适用于高电压和高电流的应用环境。其主要特性包括:
1. **低导通电阻**:Rds(on)最大为1.2Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。
2. **高击穿电压**:漏源击穿电压为400V,使其适用于高电压环境,具有良好的电压裕量。
3. **高电流承载能力**:最大连续漏极电流为5A,支持中等功率水平的开关和控制操作。
4. **热稳定性好**:TO-220封装提供了良好的散热性能,确保在高功率操作下仍能保持稳定的工作温度。
5. **快速开关特性**:具备较低的输入和输出电容,减少了开关过程中的能量损耗,提高了开关速度。
6. **过载和短路保护**:具备一定的抗过载和抗短路能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
7. **广泛的工作温度范围**:可在-55°C至150°C的温度范围内稳定工作,适合各种严苛环境下的应用。
STD5NK40Z-1适用于多种电源管理和功率控制场合,包括但不限于:
1. **开关电源(SMPS)**:用于高效的AC-DC转换器中,作为主开关或同步整流器。
2. **DC-DC转换器**:在升压(Boost)、降压(Buck)及反激式转换器中用于电压调节。
3. **电机控制**:作为H桥或PWM控制电路中的关键元件,用于直流电机或步进电机的驱动。
4. **电池管理系统**:用于电池充放电控制电路中,确保电池的安全和高效运行。
5. **照明系统**:应用于LED驱动电路,提供恒流或恒压输出,提高照明效率。
6. **工业自动化设备**:用于继电器替代、负载开关控制等工业控制场景中。
7. **消费类电子产品**:如电源适配器、充电器、家用电器等需要高效能功率开关的设备中。
STP5NK40ZFP, IRF740, FQA7N40, STD5NK40Z