QEDS-9837 时间：2025/9/15 19:06:48 阅读：5

QEDS-9837是一款由TT Electronics/Optek制造的高效率红外发射器，常用于光耦合器和光中断传感器等应用中。该器件采用GaAs（砷化镓）材料制成，能够发射近红外光，通常用于检测物体的存在、位置或运动。QEDS-9837通常与光电晶体管或光敏二极管配对使用，形成一个光耦合系统。其封装形式为直插式（Through Hole），适合于多种工业和消费类电子设备中的应用。

参数

类型：红外发射器
　　材料：GaAs
　　波长：约880nm
　　正向电压（VF）：1.2V至1.5V（典型值1.35V）
　　正向电流（IF）：最大100mA
　　反向电压（VR）：最大5V
　　功耗：200mW
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：直插式（Through Hole）
　　视角：±10°

特性

QEDS-9837是一款高效的红外发射器，具备出色的光电转换效率，能够在低电流下提供稳定的红外光输出。其GaAs材料确保了较长的使用寿命和良好的稳定性。该器件的封装设计提供了良好的机械强度和热稳定性，适合在各种环境条件下使用。
　　QEDS-9837的主要特性之一是其高发射效率，使其在低功耗应用中表现优异。此外，该器件的正向电压较低，通常在1.35V左右，能够在标准逻辑电平下工作。QEDS-9837的视角为±10°，确保了光输出的集中性和方向性，适用于需要精确光检测的应用场景。
　　该红外发射器的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在工业级环境中使用。其封装形式为直插式，便于手工焊接和安装，适用于多种电路板设计。QEDS-9837的可靠性高，能够在长期运行中保持稳定的性能，是许多光耦合和光中断应用的理想选择。