SFDG45DQ102是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于对效率和可靠性要求较高的应用场景。
这款芯片设计用于处理大电流负载,并能够承受高电压条件下的工作环境。它支持快速充放电循环,同时具备良好的电磁兼容性,可减少干扰信号的影响。
类型:N沟道增强型
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):30A
导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
栅极电荷(Qg):65nC
工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
封装形式:TO-247
SFDG45DQ102具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高频应用中能有效降低功耗。
2. 高开关速度,有助于提高系统效率并减小滤波器尺寸。
3. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
4. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品的要求。
SFDG45DQ102适用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
3. 电机驱动电路中的逆变桥臂组件。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器部分。
6. 大功率LED照明系统的驱动电路。
IRFP2907
STP30NF10
FDP18N10