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SFDG45DQ102 发布时间 时间:2025/5/26 19:00:02 查看 阅读:9

SFDG45DQ102是一款高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,适用于对效率和可靠性要求较高的应用场景。
  这款芯片设计用于处理大电流负载,并能够承受高电压条件下的工作环境。它支持快速充放电循环,同时具备良好的电磁兼容性,可减少干扰信号的影响。

参数

类型:N沟道增强型
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):1.5mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  工作温度范围(Ta):-55°C to +175°C
  封装形式:TO-247

特性

SFDG45DQ102具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高频应用中能有效降低功耗。
  2. 高开关速度,有助于提高系统效率并减小滤波器尺寸。
  3. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  4. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
  5. 符合RoHS标准,环保且适合现代绿色电子产品的要求。

应用

SFDG45DQ102适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器的核心元件,用于电压调节。
  3. 电机驱动电路中的逆变桥臂组件。
  4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  5. 新能源汽车中的电池管理系统(BMS)和逆变器部分。
  6. 大功率LED照明系统的驱动电路。

替代型号

IRFP2907
  STP30NF10
  FDP18N10

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