STD50NH02LT4 时间：2025/5/30 16:13:51 阅读：9

STD50NH02LT4是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于多种电力电子应用场合。其低导通电阻特性使其在开关电源、电机驱动和负载切换等领域表现优异。此外，STD50NH02LT4具备高击穿电压和良好的热性能，适合于要求高效能和稳定性的应用场景。
　　该器件的制造工艺基于先进的MDmesh?技术，能够提供极低的导通电阻和出色的开关性能，从而降低功率损耗并提高系统效率。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻：2.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
　　栅极电荷：37nC（典型值）
　　输入电容：2550pF（典型值）
　　总功耗：150W
　　工作结温范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

STD50NH02LT4具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效减少传导损耗，提高整体效率。
　　2. 高额定电流能力（50A），适合大功率应用。
　　3. 优秀的热性能，能够承受较高的工作温度（最高达175℃）。
　　4. MDmesh?技术的应用确保了更高的可靠性和更低的开关损耗。
　　5. 紧凑的TO-220封装设计，便于安装和散热管理。
　　6. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子系统中。
　　这些特性使得STD50NH02LT4成为工业控制、汽车电子以及消费类电子产品中的理想选择。

应用

STD50NH02LT4广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）和DC-DC转换器，用于高效的功率转换。
　　2. 电机驱动和控制电路，特别是在电动车窗、座椅调节等汽车应用中。
　　3. 负载切换和保护电路，如电池管理系统中的充放电控制。
　　4. 工业自动化设备中的功率调节和信号处理。
　　5. LED照明驱动器，提供稳定电流输出以保证光源亮度一致性。
　　凭借其卓越的电气特性和可靠性，STD50NH02LT4在各类需要高性能功率管理的场景下均表现出色。