型号：CM15MD3-12H
　　制造商：Central Semiconductor Corp
　　封装类型：SMA (DO-214AC)
　　二极管配置：双独立二极管
　　最大重复反向电压(VRRM)：12V
　　最大直流阻断电压(VR)：12V
　　最大平均整流电流(IO)：1.5A
　　峰值正向浪涌电流(IFSM)：30A
　　正向电压降(VF)：典型值0.38V @ 1A, 最大值0.5V @ 1A
　　反向漏电流(IR)：最大200μA @ 12V, 25°C
　　工作结温范围(TJ)：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围(Tstg)：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到环境(RθJA)：约75°C/W
　　安装方式：表面贴装(SMT)

CM15MD3-12H的核心优势在于其采用了肖特基势垒技术，这种结构利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降，通常在1A电流下仅为0.38V左右，最高不超过0.5V。这一特性极大地提升了电能转换效率，减少了功率损耗和发热，在电池供电系统或高密度电源模块中尤为重要。
　　此外，肖特基二极管本质上属于多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间几乎可以忽略不计（一般小于10ns），非常适合用于高频开关电路如同步整流、DC-DC变换器等场景，有效降低开关损耗并提升系统整体性能。
　　该器件采用双二极管独立封装结构，允许用户灵活配置为共阴极、共阳极或完全分离的应用模式，增强了设计灵活性。SMA封装体积小巧，占用PCB面积小，便于实现高密度布局，并具备较好的热传导能力，有助于将内部产生的热量及时传递至PCB焊盘进行散热，提升长期运行的可靠性。
　　CM15MD3-12H的工作温度范围宽达-55°C至+125°C，确保其可在严苛环境条件下稳定运行，适用于工业控制、车载电子、通信设备等多种领域。同时，产品符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，支持无铅焊接工艺，适应现代环保制造趋势。其高浪涌电流承受能力（可达30A）也使其在面对瞬态过流事件时具有更强的鲁棒性，提高了系统的安全性和耐用性。

CM15MD3-12H广泛应用于各类需要高效、快速整流的电子电路中。常见用途包括开关模式电源（SMPS）中的次级侧整流，特别是在低压大电流输出的DC-DC转换器中，得益于其低正向压降，可显著提高电源效率并减少散热需求。
　　在电池管理系统中，该器件可用于防止反向电流流动，实现电池反接保护功能；也可作为OR-ing二极管用于多电源冗余供电系统，确保主备电源之间的无缝切换。
　　此外，它还常用于电压钳位与瞬态抑制电路中，保护敏感IC免受电压尖峰影响；在信号解调和检测电路中，利用其快速响应特性进行高频信号处理。
　　便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、移动电源等对空间和能效要求极高，CM15MD3-12H的小型化封装和高效率特性使其成为理想选择。
　　在LED驱动电路中，可用于防止电流倒灌；在太阳能充电控制器中，用作防逆流二极管以阻止电池夜间向光伏板放电。
　　汽车电子系统中，如车载充电器、信息娱乐系统电源模块等，也需要此类高性能肖特基二极管来保证可靠运行。总之，凡是涉及低压、大电流、高频率整流或保护功能的场合，CM15MD3-12H都能提供出色的性能表现。

MBR160VSFT1G
　　RB168L-40TR
　　SS14-HF
　　BAT54C-WT