您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STD30NF03LT4

STD30NF03LT4 发布时间 时间:2025/5/27 9:06:17 查看 阅读:16

STD30NF03LT4是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能开关应用。其设计能够承受高达30V的漏源电压,并且能够在大电流条件下保持较低的功耗。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:27nC
  总电容:1580pF
  工作温度范围:-55℃至150℃

特性

STD30NF03LT4具有非常低的导通电阻,这使得它在大电流应用中表现出色。此外,它的高开关速度和低栅极电荷也使其非常适合高频开关应用。
  该器件还具有出色的热稳定性,在高温环境下仍能保持性能稳定。
  其采用的TO-220封装形式,便于散热管理,同时提供了坚固的机械结构以适应工业环境中的使用需求。

应用

STD30NF03LT4广泛应用于电机控制、DC/DC转换器、开关电源(SMPS)、电池充电器以及负载开关等领域。由于其高效的性能表现,特别适合需要低功耗和高效率的场景,例如电动汽车辅助系统、消费类电子产品的适配器以及工业自动化设备中的功率转换模块。

替代型号

STD30NM60L, IRFZ44N

STD30NF03LT4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STD30NF03LT4资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

STD30NF03LT4参数

  • 其它有关文件STD30NF03L View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs18nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds830pF @ 25V
  • 功率 - 最大50W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3157-6