时间：2025/5/27 9:06:17
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STD30NF03LT4是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能开关应用。其设计能够承受高达30V的漏源电压，并且能够在大电流条件下保持较低的功耗。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：27nC
总电容：1580pF
工作温度范围：-55℃至150℃
STD30NF03LT4具有非常低的导通电阻，这使得它在大电流应用中表现出色。此外，它的高开关速度和低栅极电荷也使其非常适合高频开关应用。
该器件还具有出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持性能稳定。
其采用的TO-220封装形式，便于散热管理，同时提供了坚固的机械结构以适应工业环境中的使用需求。
STD30NF03LT4广泛应用于电机控制、DC/DC转换器、开关电源（SMPS）、电池充电器以及负载开关等领域。由于其高效的性能表现，特别适合需要低功耗和高效率的场景，例如电动汽车辅助系统、消费类电子产品的适配器以及工业自动化设备中的功率转换模块。
STD30NM60L, IRFZ44N
