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GA1210Y153JXLAT31G 发布时间 时间:2025/6/21 20:55:51 查看 阅读:28

GA1210Y153JXLAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,在保证高效能的同时提供了优异的开关特性和热稳定性。它通常用于需要高电流驱动能力以及快速开关速度的应用场景。

参数

型号:GA1210Y153JXLAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  VDS(漏源电压):1200V
  RDS(on)(导通电阻):150mΩ
  ID(连续漏极电流):31A
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  栅极电荷:65nC
  总功耗:380W

特性

GA1210Y153JXLAT31G 具有出色的电气性能和可靠性。
  1. 高耐压能力:其1200V的额定电压使其能够适应高压环境下的各种应用需求。
  2. 低导通电阻:150mΩ的导通电阻减少了导通损耗,提高了系统效率。
  3. 快速开关速度:较低的栅极电荷(65nC)使得开关时间更短,适合高频应用。
  4. 大电流处理能力:最大支持31A的连续漏极电流,满足大功率负载的要求。
  5. 热稳定性强:良好的散热设计和宽温范围使其能够在恶劣环境下长期稳定运行。
  6. 可靠性高:通过了严格的品质测试,具备较强的抗浪涌能力和ESD防护性能。

应用

GA1210Y153JXLAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 工业设备中的电机驱动与控制。
  2. 开关电源(SMPS)、逆变器及不间断电源(UPS)。
  3. 新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电桩。
  4. 高效电力转换电路。
  5. 各类高压、大电流电子系统的功率开关元件。

替代型号

IRFP260N
  STP120NF12
  FDP18N120

GA1210Y153JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.015 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-