时间：2025/5/19 18:07:02
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TLD2132-1EP 是一种双通道达林顿晶体管阵列，采用小型 SO-8 封装。该器件由两个独立的达林顿晶体管对组成，适用于需要高增益和低饱和电压的应用场景。其设计特点使其非常适合驱动继电器、螺线管、小型直流电机等负载。此外，它还具有较高的电流增益和较低的功耗特性，广泛应用于工业控制、家用电器以及汽车电子领域。
达林顿晶体管结构可以显著提升电流放大能力，从而允许更小的输入电流来控制更大的负载电流。这种特性使得 TLD2132-1EP 成为许多功率开关应用的理想选择。
封装：SO-8
集电极最大电流（IC）：500mA
集电极-发射极击穿电压（VCEO）：40V
发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
工作结温范围：-65°C 至 +150°C
热阻（RthJC）：100°C/W
输入触发电流（典型值）：5μA
1. 高电流增益性能，能够实现精确的电流控制。
2. 较低的饱和电压，有助于减少功耗并提高系统效率。
3. 双通道设计，允许同时控制两个独立负载。
4. 良好的热稳定性，适合在宽温度范围内使用。
5. 小型化 SO-8 封装，节省PCB空间。
6. 内置过流保护功能，确保可靠运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品要求。
1. 继电器驱动与控制
2. 小型直流电机驱动
3. 螺线管驱动
4. LED 照明驱动
5. 工业自动化设备中的开关电路
6. 汽车电子中的信号隔离与功率转换
7. 家用电器中的功率管理模块
TLE2132-1EP, ULN2003A, ULN2803A
