时间：2025/7/22 8:00:18
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STGB7NC60HD是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高电压功率MOSFET，适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的制造工艺，具备较低的导通电阻和快速的开关特性，适合用于如电源适配器、服务器电源、LED照明和电机控制等应用。STGB7NC60HD采用TO-247封装形式，能够承受较高的工作电压和较大的工作电流，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：600V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：7A（在Tc=25°C时）
导通电阻(Rds(on))：最大1.5Ω
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
STGB7NC60HD具有多项优良的电气和物理特性。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET具备快速开关能力，减少开关过程中的能量损耗，从而提升整体性能。此外，其高击穿电压能力确保了在高压应用中的稳定性和可靠性。
该器件采用先进的封装技术，提供良好的热管理能力，使器件在高功率工作条件下仍能保持较低的温度。STGB7NC60HD的栅极结构设计优化，具备较高的栅极稳定性，能够承受较高的dv/dt环境而不发生误触发。其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用，包括工业控制和电源系统。
STGB7NC60HD广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。其典型应用包括开关电源（SMPS）、LED驱动器、电机控制电路、UPS系统、工业自动化设备以及家用电器中的电源模块。在这些应用中，该MOSFET能够有效实现高效的电能转换和管理，确保系统稳定运行。
STF7NM60ND, STW7NK60Z, FQA7N60C, IRFBC40
