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STGB7NC60HD 发布时间 时间:2025/7/22 8:00:18 查看 阅读:4

STGB7NC60HD是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的高电压功率MOSFET,适用于高效率电源转换系统。该器件采用先进的制造工艺,具备较低的导通电阻和快速的开关特性,适合用于如电源适配器、服务器电源、LED照明和电机控制等应用。STGB7NC60HD采用TO-247封装形式,能够承受较高的工作电压和较大的工作电流,具有良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大连续漏极电流(Id):7A(在Tc=25°C时)
  导通电阻(Rds(on)):最大1.5Ω
  功率耗散(Pd):125W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-247

特性

STGB7NC60HD具有多项优良的电气和物理特性。其低导通电阻(Rds(on))有助于降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET具备快速开关能力,减少开关过程中的能量损耗,从而提升整体性能。此外,其高击穿电压能力确保了在高压应用中的稳定性和可靠性。
  该器件采用先进的封装技术,提供良好的热管理能力,使器件在高功率工作条件下仍能保持较低的温度。STGB7NC60HD的栅极结构设计优化,具备较高的栅极稳定性,能够承受较高的dv/dt环境而不发生误触发。其宽泛的工作温度范围使其适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制和电源系统。

应用

STGB7NC60HD广泛应用于多种高电压和高功率的电子系统中。其典型应用包括开关电源(SMPS)、LED驱动器、电机控制电路、UPS系统、工业自动化设备以及家用电器中的电源模块。在这些应用中,该MOSFET能够有效实现高效的电能转换和管理,确保系统稳定运行。

替代型号

STF7NM60ND, STW7NK60Z, FQA7N60C, IRFBC40

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STGB7NC60HD参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度9.35mm
  • 封装类型D2PAK
  • 尺寸10.4 x 9.35 x 4.6mm
  • 引脚数目3
  • 最低工作温度-55 °C
  • 最大栅极发射极电压±20V
  • 最大连续集电极电流25 A
  • 最大集电极-发射极电压600 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 通道类型N
  • 配置
  • 长度10.4mm
  • 高度4.6mm