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STD2NK90ZT4 发布时间 时间:2025/5/30 15:33:13 查看 阅读:9

STD2NK90ZT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。
  该MOSFET的主要特点是其高效率和耐用性,能够承受较大的漏源电压和连续电流。此外,它还具备快速开关性能以及良好的热稳定性,适合在恶劣环境下使用。

参数

最大漏源电压(Vds):90V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):160W
  结温范围(Tj):-55℃至+175℃
  封装形式:TO-220

特性

STD2NK90ZT4是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要特性如下:
  1. 高耐压能力:其漏源电压高达90V,可广泛应用于中低压环境下的电力转换和控制电路。
  2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为85mΩ(典型值),从而降低了导通损耗并提升了系统效率。
  3. 快速开关性能:由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET具有较短的开关时间,有助于减少开关损耗。
  4. 热稳定性好:能够在高温条件下正常工作,结温范围可达-55℃至+175℃,确保了长期运行的可靠性。
  5. 大电流处理能力:支持最大15A的漏极电流,适用于大功率应用场合。
  6. TO-220封装:这种封装形式便于散热和安装,同时兼容大多数传统设计。

应用

STD2NK90ZT4因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等,提供高效的电能转换。
  2. 电机驱动:用于控制小型直流电机或步进电机的速度和方向。
  3. 负载切换:实现对不同负载的快速切换操作,如汽车电子中的继电器替代方案。
  4. 过流保护电路:通过检测异常电流来保护后端设备免受损害。
  5. 逆变器和太阳能发电系统:参与能量存储与释放过程,提升整体系统的效率。
  6. 工业自动化设备:为各类工业控制装置提供稳定的功率输出。

替代型号

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STD2NK90ZT4参数

  • 其它有关文件STD2NK90Z View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列SuperMESH™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)900V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 欧姆 @ 1.05A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds485pF @ 25V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-4332-6