STD2NK90ZT4是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET,采用TO-220封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。
该MOSFET的主要特点是其高效率和耐用性,能够承受较大的漏源电压和连续电流。此外,它还具备快速开关性能以及良好的热稳定性,适合在恶劣环境下使用。
最大漏源电压(Vds):90V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):85mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot):160W
结温范围(Tj):-55℃至+175℃
封装形式:TO-220
STD2NK90ZT4是一款高性能的N沟道功率MOSFET,主要特性如下:
1. 高耐压能力:其漏源电压高达90V,可广泛应用于中低压环境下的电力转换和控制电路。
2. 低导通电阻:在Vgs=10V时,导通电阻仅为85mΩ(典型值),从而降低了导通损耗并提升了系统效率。
3. 快速开关性能:由于采用了先进的制造工艺,该MOSFET具有较短的开关时间,有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性好:能够在高温条件下正常工作,结温范围可达-55℃至+175℃,确保了长期运行的可靠性。
5. 大电流处理能力:支持最大15A的漏极电流,适用于大功率应用场合。
6. TO-220封装:这种封装形式便于散热和安装,同时兼容大多数传统设计。
STD2NK90ZT4因其优异的性能被广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括AC-DC适配器、充电器等,提供高效的电能转换。
2. 电机驱动:用于控制小型直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 负载切换:实现对不同负载的快速切换操作,如汽车电子中的继电器替代方案。
4. 过流保护电路:通过检测异常电流来保护后端设备免受损害。
5. 逆变器和太阳能发电系统:参与能量存储与释放过程,提升整体系统的效率。
6. 工业自动化设备:为各类工业控制装置提供稳定的功率输出。
STD2NK90NZT4