时间：2025/12/24 4:45:30
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STD27N3LH5是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用N沟道增强型技术，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该型号属于MDmesh?技术系列，优化了性能以减少传导损耗并提高效率。其封装形式为TO-220，适合需要良好散热性能的应用场景。
最大漏源电压Vds：300V
最大栅源电压Vgs：±20V
最大连续漏电流Id：27A
导通电阻Rds(on)：150mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗Ptot：140W
结温范围Tj：-55°C至+175°C
STD27N3LH5采用了先进的MDmesh?技术，从而显著降低了导通电阻，提高了功率转换效率。
它具有极低的输入电容和输出电容，确保了快速的开关性能。
由于其出色的热稳定性和耐用性，该器件非常适合工业级和汽车级应用。
同时，STD27N3LH5还具备雪崩击穿保护功能，能够在过载情况下提供额外的安全保障。
此外，其封装设计有助于简化散热管理，进一步提升了系统可靠性。
STD27N3LH5广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器以及其他需要高效功率控制的领域。
它特别适合要求高效率、快速响应和良好热管理的工业设备和消费电子产品。
在汽车电子领域，该器件可用于电动窗、座椅调节、雨刷控制系统等。
IRFZ44N
STP20NM60
FDP17N10
