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STD25NF10LT4 发布时间 时间:2025/5/8 12:11:26 查看 阅读:8

STD25NF10LT4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种电源管理应用。其封装形式为 TO-220AC,适用于需要高效能和散热性能的场合。
  这款功率 MOSFET 的额定电压为 100V,能够提供高达 25A 的连续漏极电流。它广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等场景。

参数

最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻(典型值,@ Vgs=10V):8.5mΩ
  总功耗:125W
  结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-220AC

特性

STD25NF10LT4 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适合现代电力电子设计需求。
  3. 较高的雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的耐用性。
  4. 紧凑且坚固的 TO-220AC 封装,便于安装和散热管理。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 提供出色的热稳定性和电气性能,能够在恶劣环境下可靠工作。

应用

STD25NF10LT4 可以应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC 转换器的核心开关器件。
  3. 各类电机驱动电路,包括步进电机和直流无刷电机。
  4. 电池保护和管理系统中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. LED 驱动器和逆变器等功率转换装置。

替代型号

STP25NF10L, IRFZ44N, FDP029N10A

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STD25NF10LT4参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C25A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 12.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs52nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1710pF @ 25V
  • 功率 - 最大100W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-3156-6