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GA1210Y182KXEAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 3:53:33 查看 阅读:6

GA1210Y182KXEAR31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信系统中。该芯片采用先进的 GaN(氮化镓)工艺制造,具有高效率、高增益和宽带宽的特点,能够满足现代通信设备对射频信号放大需求。
  此型号适用于多种射频场景,例如基站、雷达以及卫星通信等,能够在高频条件下提供稳定的性能表现。

参数

工作频率范围:3.3 GHz 至 4.2 GHz
  输出功率:40 W(典型值)
  增益:15 dB(典型值)
  效率:65%(典型值)
  供电电压:28 V
  封装形式:Ceramic Flange

特性

GA1210Y182KXEAR31G 的主要特点是其采用了氮化镓技术,这种技术带来了更高的功率密度和更小的热阻,从而实现了更好的散热效果与更高的可靠性。
  此外,该芯片在较宽的工作频率范围内表现出色,具备良好的线性度和稳定性,适合需要长时间运行的应用场景。
  它的高效率显著降低了功耗,减少了对冷却系统的需求,同时其高增益特性简化了设计过程中的匹配网络复杂度。
  由于其优异的电气性能和机械性能,这款芯片非常适合用于恶劣环境下的应用,如军事雷达或工业级通信设备。

应用

该芯片的主要应用领域包括但不限于以下:
  1. 无线通信基站:为 LTE、5G 等新一代通信标准提供可靠的射频功率放大支持。
  2. 雷达系统:可用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他需要高功率射频信号放大的场景。
  3. 卫星通信:在地面站设备中用作上行链路信号放大器。
  4. 工业、科学和医疗 (ISM) 设备:在需要高功率射频能量传输的应用中发挥重要作用。
  5. 测试与测量设备:提供精确且可重复的射频信号源。

替代型号

GA1210Y182KXEAR31H, GA1210Y182KXEAR31F

GA1210Y182KXEAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容1800 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-