时间：2025/6/21 15:57:04
阅读：4
RHTVSDF03611N-S 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率开关器件，主要用于高频、高效率电源转换应用。该芯片采用先进的封装工艺，具备出色的散热性能和低导通电阻特性，能够显著提升系统的功率密度和能效表现。
其内部结构设计使其在高频开关条件下仍然保持较低的开关损耗，并且支持高达 650V 的阻断电压，适用于包括 AC-DC 转换器、DC-DC 变换器以及充电设备等多种应用场景。
额定电压：650V
额定电流：11A
导通电阻：40mΩ
栅极电荷：12nC
开关频率范围：10kHz~2MHz
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-247
1. 高击穿电压：支持高达 650V 的阻断电压，适合多种高压应用场景。
2. 极低导通电阻：仅为 40mΩ，有效降低传导损耗。
3. 快速开关速度：具有极小的栅极电荷，可实现 MHz 级别的高频切换。
4. 出色的热性能：优化的封装设计确保芯片在高功率负载下仍能保持稳定运行。
5. 强大的鲁棒性：内置保护机制，如过流保护和短路保护，提高系统可靠性。
6. 易于驱动：兼容标准逻辑电平信号输入，简化电路设计流程。
1. 开关电源 (SMPS)：
RHTVSDF03611N-S 可广泛应用于各种开关电源中，例如笔记本适配器、快充头等，提供高效的能量转换。
2. 工业级 DC-DC 转换器：
由于其高耐压特性和低功耗优势，非常适合工业领域的直流变换需求。
3. 新能源领域：
可用于光伏逆变器或电动汽车车载充电机中的功率管理模块，助力绿色能源发展。
4. 电机驱动：
凭借快速动态响应能力及大电流承载能力，在电机控制方面也有优异表现。
RHTVSDF03612N-S, RHTVSDF03610N-S
