类型：PNP型晶体管
　　封装形式：TO-18
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　最大工作频率（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：40-150（取决于工作电流）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2N659A 的主要特性之一是其优异的高频性能，适用于射频和中频放大电路。其TO-18金属封装不仅提供了良好的散热能力，还增强了高频信号的屏蔽效果，降低了外部干扰的影响。
　　该晶体管的电流增益（hFE）在不同工作电流下可达到40至150的范围，具备良好的放大能力，适合用于低噪声前置放大器设计。此外，2N659A具有较低的噪声系数，适用于接收端的信号增强，尤其是在无线通信系统中。
　　由于其良好的频率响应和线性特性，2N659A也常用于振荡器、混频器和调制电路中。它的工作温度范围宽广（-55°C至+150°C），使其适用于各种环境条件下的电子设备。
　　在设计中，2N659A通常需要配合适当的偏置电路和匹配网络，以确保其在高频下稳定工作并达到最佳性能。其封装引脚排列清晰，便于焊接和安装，适合手工制作和小批量生产。

2N659A 主要用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路，常见于无线接收设备、对讲机、业余无线电装置和射频测试仪器中。此外，它还被广泛应用于振荡器、混频器、调制解调电路和低噪声前置放大器的设计中。
　　在通信系统中，2N659A 可用于构建低噪声放大器（LNA），提高接收信号的灵敏度。在射频发射部分，它可以作为预放大器或驱动级使用。在音频放大应用中，虽然其性能不如专用音频晶体管，但在一些低功率音频电路中也可作为放大元件使用。
　　由于其良好的高频特性和稳定的工作表现，2N659A也常用于教学实验和电子爱好者项目中，作为学习晶体管工作原理和高频电路设计的重要元件。

2N3906, 2N2907A, BF420, BC172