时间：2025/7/22 11:22:40
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FCPF190N65FL1-F154 是一款由富昌电子（Fujian Micro）生产的高性能N沟道功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优异的热稳定性，适合用于高效率、高功率密度的电源系统。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：190A（在Tc=25℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.015Ω（在Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：约140nC
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
FCPF190N65FL1-F154 MOSFET采用了先进的平面技术，确保了低导通损耗和优异的开关性能。其高耐压能力使其适用于各种高电压应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，能够在高电流条件下长时间运行。此外，该器件的封装设计有助于提高散热效率，延长使用寿命。该MOSFET还具备较低的栅极电荷，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
该器件广泛应用于工业电源、服务器电源、通信电源、太阳能逆变器、电动汽车充电器以及各种高功率开关电源系统。由于其高可靠性和优异的电气性能，也适用于需要高效能和高稳定性的高端电源管理场合。
FCPF190N65FL1-F154的替代型号包括：STW190N65M5（STMicroelectronics）、IPW190N65F5（Infineon）、CSD19536KTT（TI）等具备相似性能参数的高功率N沟道MOSFET。
