类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：130A @ TC=100℃
　　最大漏源电压（Vds）：40V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：Max 4.0mΩ @ Vgs=10V, Id=65A
　　导通电阻 Rds(on)：Max 5.5mΩ @ Vgs=4.5V, Id=50A
　　工作温度范围：-55℃ ~ 175℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

LRC099-04ABT1G 的主要特性之一是其极低的导通电阻，在 Vgs=10V 时最大仅为 4.0mΩ，这有助于降低导通损耗，提高电源转换效率。
　　该器件的额定漏极电流高达 130A，在高电流应用中表现优异，适用于如 DC-DC 转换器、电机驱动器和电池管理系统等场景。
　　其最大漏源电压为 40V，支持中高压应用，同时栅源电压耐受范围为 ±20V，兼容常见的驱动电路设计。
　　LRC099-04ABT1G 还具备良好的热稳定性和抗雪崩击穿能力，能够在高温和高负载条件下稳定运行。
　　此外，TO-252 封装不仅便于表面贴装，还提供了良好的散热性能，有助于提高系统可靠性。

LRC099-04ABT1G 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统（BMS）等。
　　在服务器电源、电信电源、电动车充电器以及太阳能逆变器等高效率、高功率密度要求的应用中，该 MOSFET 可作为主开关器件使用，以实现高效能和高可靠性。
　　此外，该器件也可用于工业自动化控制系统、UPS（不间断电源）以及消费类电子产品中的功率管理模块。

Si444NQDY-T1-GE3, FDD8882, IRF1324PBF