STD12NM50ND 时间：2025/7/22 13:37:11 阅读：32

STD12NM50ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的SuperMESH技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于高效率电源转换系统。该MOSFET封装为TO-220，便于散热和安装，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等领域。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.4Ω @Vgs=10V
　　栅极电荷（Qg）：32nC
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

特性

STD12NM50ND的主要特性是其采用STMicroelectronics专有的SuperMESH技术，这项技术显著降低了导通电阻（Rds(on)），同时保持了优异的开关性能。该器件在高电压应用中表现出色，能够在500V的漏源电压下稳定运行，并且支持高达12A的连续漏极电流，适合高功率需求的应用场景。此外，其低栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）有助于减少开关损耗，提高整体能效。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性，工作温度范围宽，从-55°C到+150°C，可在恶劣环境下可靠运行。TO-220封装设计提供了良好的散热能力，便于用户进行散热管理和PCB布局。器件内部还集成了快速恢复二极管，适用于需要反向电流保护的电路设计。
　　在可靠性方面，STD12NM50ND经过严格测试，符合AEC-Q101汽车级标准，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

STD12NM50ND广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电器以及工业自动化控制系统。在开关电源中，该MOSFET可用于主开关或同步整流部分，以提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，其低导通电阻和快速开关特性使其适用于高频率操作，从而减小电感和电容的尺寸，提高系统功率密度。
　　此外，该器件也适用于LED照明驱动器、光伏逆变器、UPS不间断电源等应用。在电机控制领域，STD12NM50ND可用于H桥驱动电路，实现高效、可靠的电机速度和方向控制。由于其符合AEC-Q101标准，因此也常用于汽车电子系统中的功率管理模块。