KTC1298 时间：2025/8/16 13:27:10 阅读：6

KTC1298是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率、高电流和低导通电阻的电子电路中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供出色的导通性能和热稳定性。KTC1298通常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：100A（在Tc=25°C时）
　　功耗（PD）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为3.2mΩ（在VGS=10V时）
　　封装形式：TO-247

特性

KTC1298具有低导通电阻（RDS(on)），能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。
　　该器件支持高电流承载能力，连续漏极电流可达100A，适用于高功率应用。
　　KTC1298采用TO-247封装，具有良好的散热性能，适合在高温环境下工作。
　　其栅极驱动电压范围为±20V，支持标准逻辑电平驱动，兼容多种控制电路。
　　此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，能够在极端温度条件下保持稳定性能。
　　KTC1298还具有较高的短路耐受能力，能够在瞬态故障条件下提供额外的安全保障。

应用

KTC1298常用于电源管理系统，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用，能够有效提高电源转换效率并降低损耗。
　　它也广泛应用于工业自动化设备、电机驱动和逆变器系统中，提供高可靠性和高效能的功率控制解决方案。
　　此外，该器件适用于不间断电源（UPS）、电池管理系统（BMS）和电动汽车充电设备等高功率电子系统中。
　　在音频功率放大器设计中，KTC1298也可作为高电流开关使用，提供清晰的音频输出。
　　由于其优异的导通特性和热管理能力，KTC1298也适用于需要频繁开关的高频应用，如开关电源（SMPS）和脉宽调制（PWM）控制电路。