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STD10NM60ND 发布时间 时间:2025/5/10 15:22:16 查看 阅读:23

STD10NM60ND 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 MDAP3 封装形式,具有出色的开关特性和导通性能,适用于多种电力电子应用,例如开关电源、电机驱动和负载切换等。其耐压值高达 600V,同时具备较低的导通电阻,能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
  该型号在设计时充分考虑了高电压环境下的稳定性和可靠性,适合需要承受高电压应力的应用场景。

参数

最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:10A
  导通电阻(Rds(on)):1.1Ω(典型值,25℃)
  栅极电荷:37nC(典型值)
  总功耗:240W
  工作结温范围:-55℃ 至 175℃
  封装形式:MDAP3

特性

STD10NM60ND 具有以下显著特性:
  1. 高耐压能力:600V 的额定电压使其非常适合高压应用环境。
  2. 较低的导通电阻:典型值为 1.1Ω,能够减少导通状态下的功率损耗。
  3. 快速开关性能:低栅极电荷和优化的内部结构有助于实现高效的开关操作。
  4. 宽温度范围支持:能够在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内可靠运行。
  5. 高可靠性:通过严格的质量测试和筛选,确保长期使用的稳定性。
  6. 符合 RoHS 标准:环保且满足国际法规要求。

应用

STD10NM60ND 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS):包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等。
  2. 电机驱动:用于控制各种类型的电动机,如步进电机、无刷直流电机等。
  3. 电池管理系统(BMS):用作保护和管理电路中的关键元件。
  4. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等。
  5. 汽车电子系统:适用于汽车内的辅助电源模块和其他相关功能模块。
  6. 负载切换与保护电路:提供高效的开断能力和可靠的过流保护。

替代型号

STD11NM60, IRF840, BUZ11

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STD10NM60ND参数

  • 其它有关文件STD10NM60ND View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FDmesh™ II
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds577pF @ 50V
  • 功率 - 最大70W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-12239-6