STD10NM60ND 时间：2025/5/10 15:22:16 阅读：23

STD10NM60ND 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用了 MDAP3 封装形式，具有出色的开关特性和导通性能，适用于多种电力电子应用，例如开关电源、电机驱动和负载切换等。其耐压值高达 600V，同时具备较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高系统效率。
　　该型号在设计时充分考虑了高电压环境下的稳定性和可靠性，适合需要承受高电压应力的应用场景。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω（典型值，25℃）
　　栅极电荷：37nC（典型值）
　　总功耗：240W
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃
　　封装形式：MDAP3

特性

STD10NM60ND 具有以下显著特性：
　　1. 高耐压能力：600V 的额定电压使其非常适合高压应用环境。
　　2. 较低的导通电阻：典型值为 1.1Ω，能够减少导通状态下的功率损耗。
　　3. 快速开关性能：低栅极电荷和优化的内部结构有助于实现高效的开关操作。
　　4. 宽温度范围支持：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的结温范围内可靠运行。
　　5. 高可靠性：通过严格的质量测试和筛选，确保长期使用的稳定性。
　　6. 符合 RoHS 标准：环保且满足国际法规要求。

应用

STD10NM60ND 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）：包括 AC/DC 转换器、DC/DC 转换器等。
　　2. 电机驱动：用于控制各种类型的电动机，如步进电机、无刷直流电机等。
　　3. 电池管理系统（BMS）：用作保护和管理电路中的关键元件。
　　4. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等。
　　5. 汽车电子系统：适用于汽车内的辅助电源模块和其他相关功能模块。
　　6. 负载切换与保护电路：提供高效的开断能力和可靠的过流保护。