KF4N20LW-RTK/H 时间：2025/9/12 13:35:56 阅读：4

KF4N20LW-RTK/H 是一款由KEC Corporation（现为KEC半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET晶体管。该器件适用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统，广泛应用于电源适配器、DC-DC转换器、负载开关、电池管理电路以及电机控制电路中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约2.5Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220F

特性

KF4N20LW-RTK/H具有低导通电阻，有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供优良的开关性能和热稳定性。其200V的漏-源电压额定值使其适用于中高功率应用，例如电源转换器和工业控制系统。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，可在较恶劣的工作环境下稳定运行。其TO-220F封装有助于良好的散热性能，适用于需要高可靠性的设计场景。
　　KF4N20LW-RTK/H的栅极驱动电压范围较宽，通常可在10V至20V之间工作，确保了其在多种驱动电路中的兼容性。此外，该器件具有快速开关特性，有助于减少开关损耗并提高整体系统效率。其低栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）也有助于优化高频操作时的性能。

应用

该MOSFET适用于多种电源管理应用，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。此外，KF4N20LW-RTK/H也常用于电机驱动器、照明控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。其优异的热性能和高电压耐受能力使其成为工业控制、汽车电子和消费类电子产品中的理想选择。