时间：2025/8/5 23:30:54
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IXTH26N50 是一款由 Littelfuse（原IXYS公司）生产的高电压、高功率N沟道MOSFET，广泛应用于电源转换、工业控制、电机驱动、不间断电源（UPS）、开关电源（SMPS）等领域。该器件采用了先进的高压MOSFET制造技术，具有出色的导通和开关性能。IXTH26N50 采用TO-247封装，便于散热和集成于各种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：500V
连续漏极电流(Id)：26A（Tc=25℃）
脉冲漏极电流(Idm)：100A
栅源电压(Vgs)：±30V
导通电阻(Rds(on))：0.21Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装形式：TO-247
功耗(Pd)：200W
IXTH26N50 采用先进的平面栅极技术和高压工艺，确保了在高电压下仍具有较低的导通电阻和优异的开关性能。该器件具有出色的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统。其高电流承载能力使其适用于大功率负载控制。此外，IXTH26N50 的栅极设计优化了开关速度，降低了开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力和过载能力，适用于高应力工作环境。该器件还具备良好的短路耐受能力，提高了整体系统的稳定性和安全性。TO-247封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热器上以提高热效率。
IXTH26N50 常用于各种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机控制、工业自动化设备、电焊机、高频电源、功率因数校正（PFC）电路等。由于其高耐压、高电流能力和低导通电阻，IXTH26N50 非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换和功率控制应用。
IRFHV26N50C, FGA25N50, FGL40N50, IXTH28N50
