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STB9NB50 发布时间 时间:2025/7/22 8:02:41 查看 阅读:5

STB9NB50 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压和高功率应用而设计,适用于如电源管理、电机控制和工业自动化等场景。STB9NB50具有低导通电阻(Rds(on))的特点,可减少导通损耗并提高系统效率。此外,其封装形式适合散热设计,有助于在高功率运行时保持良好的热稳定性。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  栅源电压(Vgs):±30V
  连续漏极电流(Id):9A
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  导通电阻(Rds(on)):0.85Ω(最大)
  封装类型:TO-220

特性

STB9NB50具备多个显著特性,首先其低导通电阻(Rds(on))使其在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗,从而提升整体能效。此外,该器件具备较高的击穿电压能力(500V),可在高电压环境下稳定运行。
  其次,STB9NB50采用TO-220封装形式,这种封装不仅便于安装和散热,也适用于多种PCB布局设计,有助于提升系统的热管理和可靠性。同时,该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽(±30V),增强了其在不同驱动电路中的兼容性。
  在可靠性方面,STB9NB50通过了严格的工业级测试标准,具备良好的抗静电能力和热稳定性,能够在恶劣的工作环境中保持长期稳定运行。此外,该器件的快速开关特性有助于减少开关损耗,提高系统效率,特别适用于需要频繁开关的功率变换器和电机驱动电路。

应用

STB9NB50广泛应用于多种高电压和高功率场景。其中,常见的应用包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器和工业自动化控制系统。在开关电源中,该MOSFET可用于主开关或同步整流电路,以提高电源转换效率。
  此外,STB9NB50也适用于家电控制电路,如变频空调的功率模块、电热水器的加热控制电路等。在这些应用中,该MOSFET的高耐压能力和低导通电阻有助于提升系统性能和可靠性。
  在电机控制领域,STB9NB50可作为H桥电路中的功率开关,用于控制直流电机或步进电机的运行方向和速度。由于其良好的开关特性和热管理能力,它可以在高负载条件下稳定工作,从而延长设备的使用寿命。

替代型号

STP9NK50Z, IRFZ44N, FDPF9N50

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STB9NB50参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压500 V
  • 闸/源击穿电压+/- 30 V
  • 漏极连续电流8.6 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)0.85 Ohms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体D2PAK
  • 封装Tube
  • 下降时间11 ns
  • 最小工作温度- 60 C
  • 功率耗散125 W
  • 上升时间11 ns
  • 工厂包装数量50