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TMG16C60 发布时间 时间:2025/8/7 15:00:35 查看 阅读:27

TMG16C60 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件设计用于在高电压和高电流条件下工作,适用于如电源适配器、DC-DC转换器、电机控制等应用。TMG16C60采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了较低的导通电阻和优异的开关性能。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:16A
  最大漏源电压:600V
  导通电阻(Rds(on)):0.38Ω(最大)
  栅极电压范围:±30V
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-220

特性

TMG16C60具有多项优异的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。
  首先,该器件的最大漏极电流为16A,能够在高电流负载条件下稳定工作,适合用于高功率密度的电源系统。其最大漏源电压为600V,能够在较高的电压环境下正常运行,确保了在各种复杂工况下的可靠性。
  其次,TMG16C60的导通电阻(Rds(on))最大为0.38Ω,这一较低的导通电阻能够显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有良好的热稳定性,能够在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作,适应性强,适用于多种恶劣环境条件。
  该器件的栅极电压范围为±30V,具有较强的抗电压波动能力,避免因栅极电压过高或过低而导致的损坏。TMG16C60采用TO-220封装形式,这种封装方式便于安装和散热,适合在标准的PCB设计中使用,并且具备较好的热管理能力。
  此外,该MOSFET的开关速度快,具有较低的开关损耗,适合高频开关应用,如开关电源和DC-DC转换器。其优异的雪崩击穿耐受能力也增强了器件在极端条件下的可靠性,延长了使用寿命。

应用

TMG16C60主要应用于各种电源管理系统和功率电子设备中,包括但不限于以下领域:
  电源适配器:由于其高电压和高电流能力,TMG16C60常用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备的AC-DC电源适配器中,以提高转换效率并降低功耗。
  DC-DC转换器:在电动汽车、太阳能逆变器和工业电源系统中,TMG16C60可用于构建高效的DC-DC转换器,实现稳定的电压变换和能量传输。
  电机控制:该MOSFET可用于电机驱动电路中,如工业自动化设备、机器人控制系统和电动工具,提供快速响应和精确的功率控制。
  UPS(不间断电源):在UPS系统中,TMG16C60可用于构建高频逆变器模块,实现电能的高效转换和存储。
  LED照明系统:TMG16C60也可用于大功率LED驱动电路,提供稳定的电流控制并提升照明效率。
  家用电器:如电磁炉、微波炉等高功率家电中,TMG16C60可以作为功率开关,实现高效能的电能控制。

替代型号

TK16A60D, 2SK2141, IRFBC30

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