时间：2025/9/1 20:30:56
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H5TQ1G63EFR-PBCR 是由SK Hynix（海力士）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、低功耗的移动存储解决方案。该芯片采用16位数据总线接口，适用于需要高速数据存取的便携式设备和嵌入式系统。该型号属于LPDDR3系列，广泛用于智能手机、平板电脑和其他低功耗电子产品中。
容量：1Gb（128MB）
类型：LPDDR3 SDRAM
电压：1.2V - 1.7V（双电源供电）
数据速率：800Mbps
封装：FBGA
数据总线宽度：16位
温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
H5TQ1G63EFR-PBCR具备多项高性能特性。首先，其采用低功耗设计，支持多种节能模式，如自刷新、深度掉电模式等，适用于电池供电设备。其次，其800Mbps的数据速率可满足高速数据处理需求，提升设备运行效率。此外，该芯片采用双电压供电（核心电压1.2V，I/O电压1.7V），在保证性能的同时降低能耗。封装形式为FBGA，具有良好的电气性能和热稳定性，适用于高密度PCB布局。
这款DRAM芯片还支持突发长度（Burst Length）可编程控制，提供更高的灵活性和兼容性。内置的温度传感器可实现温度补偿刷新（TCR），确保在高温环境下数据的稳定性和可靠性。同时，该芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新和自刷新模式，以适应不同应用场景的需求。
H5TQ1G63EFR-PBCR主要应用于移动通信设备，如智能手机和平板电脑，用于提供高性能、低功耗的内存支持。此外，该芯片也适用于嵌入式系统、工业自动化设备、车载电子系统、智能穿戴设备和消费类电子产品。由于其工业级温度范围，也适合在较为严苛的环境中使用。
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