STB80PF55 时间：2025/7/22 8:00:54 阅读：5

STB80PF55 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET，广泛用于高电流、高功率的应用场合，如电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池充电系统。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（RDS(on)）和高效率的特性，能够有效降低功率损耗并提高整体系统效率。STB80PF55 的封装形式为D2PAK，便于散热，适用于各种工业和汽车电子应用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：55V
　　漏极电流（ID）：80A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.0035Ω（典型值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：D2PAK

特性

STB80PF55 MOSFET具有多项先进的电气和热性能特性。首先，其极低的导通电阻（RDS(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了能效。这种特性使其非常适合用于高电流应用，如电源转换器、电机控制和负载开关。其次，该器件的最大漏极电流可达80A，具备较强的电流承载能力，能够支持高功率系统的运行。
　　此外，STB80PF55 的漏源电压为55V，适用于中压电源系统，如DC-DC转换器和电池管理系统。其±20V的栅极电压范围提供了良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制器和驱动IC配合使用。
　　在热管理方面，该器件采用D2PAK封装，具有良好的散热性能，能够在高功率密度环境下稳定运行。其工作温度范围为-55°C至175°C，适应性强，适合在恶劣的工业和汽车环境中使用。STB80PF55 还具备高抗雪崩能力，增强了器件在高能瞬态条件下的可靠性。

应用

STB80PF55 广泛应用于多种高功率和高效率要求的电子系统中。常见用途包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及工业电源设备。在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池供电的辅助设备。此外，其高电流和低导通电阻特性也使其非常适合用于高功率LED照明和太阳能逆变器等绿色能源应用中。