类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　封装：DO-35
　　最大耗散功率：500mW
　　标称齐纳电压：75V
　　测试电流：20mA
　　最大反向漏电流（在额定电压下）：5μA（典型值）
　　工作温度范围：-65°C ~ +200°C

1N5263C齐纳二极管具有多个显著的电气和物理特性。首先，其稳压性能非常稳定，能够在宽温度范围内保持恒定的齐纳电压输出，这对于需要高稳定性的电压参考电路非常重要。其次，该器件的功耗较低，最大耗散功率为500mW，这使得它在低功耗应用中表现优异。此外，1N5263C采用了DO-35封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且具有良好的热稳定性和机械强度，非常适合在各种电子设备中使用。
　　另外，1N5263C在反向击穿区工作时，其电压随电流的变化非常小，具有良好的动态阻抗特性，这有助于在负载变化时维持稳定的电压输出。该器件还具有较低的温度系数，能够在不同环境温度下保持电压稳定性。此外，由于其齐纳电压较高（75V），该器件特别适合用于高压稳压电路或作为参考电压源。
　　值得一提的是，1N5263C的封装材料采用玻璃结构，这不仅提供了良好的绝缘性能，还具备一定的耐压能力，能够承受较高的反向电压而不损坏。这使得它在需要高压保护或参考电压的应用中非常可靠。

1N5263C齐纳二极管广泛应用于各种电子系统中。最常见的用途是作为电压参考源，用于电源管理、电压调节器和测量仪器中。由于其稳定的齐纳电压特性，它可用于构建基准电压电路，为运算放大器、比较器或其他模拟电路提供精确的参考电压。
　　此外，1N5263C也常用于过压保护电路中，作为钳位二极管来保护后续电路免受瞬态高压的损害。例如，在电源输入端或信号输入端并联该器件，可以在电压超过75V时将其限制在安全范围内，从而保护敏感的电子元件。
　　在通信设备中，1N5263C可以用于稳压电路，以确保射频（RF）模块或模拟前端（AFE）的供电电压保持稳定。在工业控制系统中，它可以用于传感器信号调理电路中的电压参考或作为稳压元件，以提高系统的稳定性和可靠性。
　　最后，1N5263C还可以用于电池供电设备中的电压监测电路，以确保电池电压在安全范围内工作。其高齐纳电压也使其适合用于高压测试设备或校准设备中的参考电压源。

1N4763A, 1N5363B, BZX84-C75