CL05B221KB5NNNC 是一款陶瓷电容器,属于 C0G (NP0) 温度特性系列。它通常用于射频和高频应用中,具有优异的稳定性和低损耗性能。
这种电容器采用多层陶瓷技术制造,能够提供高可靠性和稳定的电容值。其封装形式适合表面贴装工艺,广泛应用于各种电子设备中。
型号:CL05B221KB5NNNC
电容值:22pF
额定电压:50V
温度系数:C0G (NP0)
公差:±5%
封装/外壳:0402 (英制) / 1005 (公制)
工作温度范围:-55°C 到 +125°C
直流偏置特性:低(适用于 C0G 类型)
ESR(等效串联电阻):非常低
频率特性:适合高频应用
CL05B221KB5NNNC 具有以下显著特点:
1. 稳定性高:由于采用了 C0G(NP0)介质,其电容值在不同的温度、电压和时间条件下保持高度稳定。
2. 损耗低:在高频下表现出极低的介质损耗,因此非常适合射频和滤波器应用。
3. 小型化设计:采用 0402 封装,体积小巧,便于在高密度电路板上使用。
4. 可靠性强:通过严格的制造和测试流程,确保在恶劣环境下也能长期可靠运行。
5. 广泛的工作温度范围:支持从 -55°C 到 +125°C 的宽温区间操作,适应多种应用场景。
该电容器适用于多种高频电子设备和场景,包括但不限于:
1. 射频模块中的匹配网络和滤波器。
2. 振荡器和时钟电路中的谐振元件。
3. 高速信号链路中的耦合与解耦。
4. 天线调谐及无线通信设备。
5. 医疗设备、工业控制以及汽车电子系统中的精密电路部分。
CL05B220KB5NNNC
CL05B222KB5NNNC
GRM033C80J220JE01D