时间：2025/8/20 3:49:18
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NB680GD 是一款由 Nexperia（安世半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛用于各种电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器以及负载开关应用中。NB680GD 具有低导通电阻、高效率、良好的热稳定性和可靠性，适用于中高功率场景。该器件采用标准的表面贴装封装（如 TSSOP 或 SO8），便于 PCB 设计和自动化装配。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：14A
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 6.8mΩ（VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TSSOP 或 SO8
NB680GD 的主要特性之一是其较低的导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流应用中功耗更低，效率更高。在 VGS=10V 时，其导通电阻仅为 6.8mΩ，能够显著降低导通损耗，提高系统整体能效。
此外，NB680GD 具有良好的热稳定性，其封装设计优化了热传导性能，能够在高负载条件下保持较低的工作温度，从而提升器件的可靠性和寿命。这也使得它在紧凑型电源设计中具有优势，适用于空间受限的应用场景。
该器件支持较高的连续漏极电流（14A），适合用于中高功率的 DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关电路。同时，其 ±20V 的栅源电压耐受能力提供了良好的抗过压保护，增强了器件在复杂电路环境中的稳定性。
NB680GD 采用标准的 MOSFET 驱动方式，兼容常见的栅极驱动 IC 和控制器，简化了设计流程并提高了系统的兼容性。其封装形式（如 TSSOP 或 SO8）便于贴片焊接，适用于自动化生产流程。
NB680GD 广泛应用于各类电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电动工具、服务器电源、负载开关以及工业自动化控制系统等。由于其高电流能力和低导通损耗，该器件在需要高效能、高可靠性的应用中表现尤为出色。
SiSS88TN Si4410BDY IRF7413PBF
