时间：2025/7/4 7:28:06
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STB75NF75是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用TO-247封装形式，具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度的特点，适用于各种工业和消费类电子应用。STB75NF75的额定耐压为75V，连续漏极电流可达75A，主要针对功率转换、电机驱动、DC-DC转换器以及开关电源等应用场景。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：75A
导通电阻：1.6mΩ（典型值，Vgs=10V时）
栅极电荷：39nC（最大值）
输入电容：2840pF
总耗散功率：340W（Tc=25℃时）
工作结温范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
STB75NF75是一款高性能的功率MOSFET，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提高系统效率。
2. 高击穿电压设计确保在高压环境下稳定运行。
3. 快速开关性能，适合高频开关应用。
4. 良好的热性能，可承受较高的功率密度。
5. 短路耐受能力较强，提升了系统的可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且易于焊接和使用。
这些特性使STB75NF75成为大电流、高效率功率转换的理想选择。
STB75NF75广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的桥臂开关。
4. 工业设备中的负载切换和保护。
5. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电池管理系统。
6. 汽车电子中需要高可靠性和高效能的应用场景。
由于其优异的电气特性和可靠性，STB75NF75非常适合要求严格的功率管理场合。
IRFB7540PBF, FDP75N75A, IXFN75N75T2
