NGTB30N135IHRWG 时间：2025/4/27 13:36:44 阅读：4

NGTB30N135IHRWG 是一款由 Nexperia（前身为 NXP 的标准产品业务部）生产的高压 MOSFET。该器件属于 Trench MOSFET 技术系列，具有高效率和低导通电阻的特点，适用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率管理应用。
　　这款器件采用了 TO-268-2 封装形式，支持高电流密度和快速开关操作，同时具备优异的热性能表现。

参数

型号：NGTB30N135IHRWG
　　类型：N 沟道 MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：1350V
　　Rds(on)（导通电阻）：3.4Ω
　　Id（连续漏极电流）：30A
　　封装：TO-268-2
　　功耗：390W
　　栅极电荷：37nC
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

NGTB30N135IHRWG 提供了高耐用性和可靠性，非常适合工业及汽车级应用。其主要特性包括：
　　1. 高击穿电压：1350V 的 Vds 可以在高压环境中稳定运行。
　　2. 低导通电阻：Rds(on) 为 3.4Ω，在高频开关条件下减少功率损耗。
　　3. 快速开关能力：较低的栅极电荷和反向恢复时间，提升了整体系统效率。
　　4. 热稳定性：能够在极端温度范围内可靠运行，并且具有良好的散热性能。
　　5. 符合 RoHS 标准：采用环保材料制造，满足国际法规要求。
　　此器件还经过严格的质量测试，确保在恶劣环境下的长期使用。

应用

NGTB30N135IHRWG 主要应用于需要高电压和大电流处理能力的场景中，例如：
　　1. 开关模式电源 (SMPS)
　　2. DC-DC 转换器
　　3. 工业电机驱动
　　4. 太阳能逆变器
　　5. 不间断电源 (UPS) 系统
　　6. 电动汽车充电设备
　　7. 高压负载切换电路
　　这些应用领域均依赖于其卓越的电气特性和坚固的结构设计来实现高效、稳定的功率传输。