STB70N10F4 时间：2025/6/4 0:28:15 阅读：7

STB70N10F4 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于各种高效率电源管理应用。其最大漏源电压为 100V，持续漏极电流可达 70A（在特定条件下），并具有出色的热性能和可靠性。
　　STB70N10F4 使用 MDAP6 封装形式，这种封装能够优化散热表现，并且适合表面贴装技术（SMT）。此外，它符合 RoHS 标准，支持环保设计需求。

参数

最大漏源电压：100V
　　持续漏极电流：70A
　　导通电阻（典型值）：2.5mΩ
　　栅极电荷（Qg）：78nC
　　输入电容（Ciss）：3550pF
　　输出电容（Coss）：950pF
　　反向传输电容（Crss）：280pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

STB70N10F4 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 快速开关速度，使得其在高频应用中表现出色。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
　　4. 优化的栅极电荷和电容参数，便于驱动设计。
　　5. 符合 AEC-Q101 标准，确保其在汽车级应用中的可靠性。
　　6. 支持高达 175°C 的工作温度，适用于高温环境下的应用。
　　7. 表面贴装封装，简化了 PCB 设计与制造流程。

应用

STB70N10F4 广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
　　2. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
　　3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
　　4. 太阳能逆变器中的功率转换电路。
　　5. 各类负载开关和保护电路。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
　　7. LED 照明驱动电路。