STB70N10F4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效率电源管理应用。其最大漏源电压为 100V,持续漏极电流可达 70A(在特定条件下),并具有出色的热性能和可靠性。
STB70N10F4 使用 MDAP6 封装形式,这种封装能够优化散热表现,并且适合表面贴装技术(SMT)。此外,它符合 RoHS 标准,支持环保设计需求。
最大漏源电压:100V
持续漏极电流:70A
导通电阻(典型值):2.5mΩ
栅极电荷(Qg):78nC
输入电容(Ciss):3550pF
输出电容(Coss):950pF
反向传输电容(Crss):280pF
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
STB70N10F4 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关速度,使得其在高频应用中表现出色。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
4. 优化的栅极电荷和电容参数,便于驱动设计。
5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车级应用中的可靠性。
6. 支持高达 175°C 的工作温度,适用于高温环境下的应用。
7. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计与制造流程。
STB70N10F4 广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
4. 太阳能逆变器中的功率转换电路。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
7. LED 照明驱动电路。
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