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STB70N10F4 发布时间 时间:2025/6/4 0:28:15 查看 阅读:7

STB70N10F4 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效率电源管理应用。其最大漏源电压为 100V,持续漏极电流可达 70A(在特定条件下),并具有出色的热性能和可靠性。
  STB70N10F4 使用 MDAP6 封装形式,这种封装能够优化散热表现,并且适合表面贴装技术(SMT)。此外,它符合 RoHS 标准,支持环保设计需求。

参数

最大漏源电压:100V
  持续漏极电流:70A
  导通电阻(典型值):2.5mΩ
  栅极电荷(Qg):78nC
  输入电容(Ciss):3550pF
  输出电容(Coss):950pF
  反向传输电容(Crss):280pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

STB70N10F4 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,使得其在高频应用中表现出色。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的鲁棒性和抗浪涌能力。
  4. 优化的栅极电荷和电容参数,便于驱动设计。
  5. 符合 AEC-Q101 标准,确保其在汽车级应用中的可靠性。
  6. 支持高达 175°C 的工作温度,适用于高温环境下的应用。
  7. 表面贴装封装,简化了 PCB 设计与制造流程。

应用

STB70N10F4 广泛应用于多种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流器。
  2. 电动车辆(EV/HEV)中的电机驱动和 DC-DC 转换器。
  3. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换电路。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  6. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  7. LED 照明驱动电路。

替代型号

STB60NF10,
  STB50NF10,
  IRF7739,
  FDP7770N,
  IXFN100N10T2

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STB70N10F4参数

  • 制造商STMicroelectronics
  • 产品种类MOSFET
  • 封装Reel