时间：2025/5/30 10:55:16
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UMH9NTN是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关和功率放大等应用中，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装工艺，广泛应用于消费电子、工业控制及电源管理领域。
该MOSFET的主要特点是其优秀的开关性能和低导通损耗，适用于直流电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：8mΩ（在Vgs=10V时）
总功耗：115W
结温范围：-55℃至+175℃
1. N沟道增强型MOSFET设计，提供高效的开关性能。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗。
3. 高电流处理能力，支持高达16A的持续漏极电流。
4. 小型化TO-252（DPAK）封装，便于表面贴装和高密度电路设计。
5. 工作温度范围宽广，能够在极端环境下稳定运行。
6. 快速开关速度，适用于高频应用场合。
UMH9NTN常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。开关，在各种便携式设备中实现快速启停功能。
4. 直流电机驱动，用于控制电机方向与速度。
5. 过流保护电路，作为关键的电子保险丝组件。
6. 各类工业控制系统中的功率调节与信号传输环节。
IRFZ44N
STP16NF06
FDP151N
AO3400
