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UMH9NTN 发布时间 时间:2025/5/30 10:55:16 查看 阅读:20

UMH9NTN是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关和功率放大等应用中,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力。其封装形式为TO-252(DPAK),适合表面贴装工艺,广泛应用于消费电子、工业控制及电源管理领域。
  该MOSFET的主要特点是其优秀的开关性能和低导通损耗,适用于直流电机驱动、负载开关以及DC-DC转换器等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  持续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):8mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:115W
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

1. N沟道增强型MOSFET设计,提供高效的开关性能。
  2. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
  3. 高电流处理能力,支持高达16A的持续漏极电流。
  4. 小型化TO-252(DPAK)封装,便于表面贴装和高密度电路设计。
  5. 工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 快速开关速度,适用于高频应用场合。

应用

UMH9NTN常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。开关,在各种便携式设备中实现快速启停功能。
  4. 直流电机驱动,用于控制电机方向与速度。
  5. 过流保护电路,作为关键的电子保险丝组件。
  6. 各类工业控制系统中的功率调节与信号传输环节。

替代型号

IRFZ44N
  STP16NF06
  FDP151N
  AO3400

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UMH9NTN参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称UMH9NTNTR