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IR2153S 发布时间 时间:2025/5/29 20:51:39 查看 阅读:8

IR2153S 是一款高压半桥驱动芯片,专为功率MOSFET和IGBT的驱动而设计。该芯片能够提供高效的驱动能力,并支持自举电路来驱动高端开关,适用于各种需要高效功率转换的应用场景。
  IR2153S内置了死区时间控制功能,可以有效防止上下桥臂直通问题。同时,它还具备欠压锁定(UVLO)保护功能,确保在电源电压不足时停止工作以保护器件安全。

参数

逻辑电源电压:10V
  高端浮置电源电压:580V
  输出驱动电流:±2A
  传播延迟:65ns
  最低工作温度:-40℃
  最高工作温度:125℃

特性

IR2153S采用了先进的制造工艺,具备以下显著特性:
  1. 高侧驱动采用自举技术,允许使用单个电源供电。
  2. 内置死区时间控制功能,避免高、低端开关同时导通。
  3. 具有独立的高侧和低侧输入通道,支持多种PWM信号输入模式。
  4. 提供快速响应的欠压锁定保护功能,确保系统稳定运行。
  5. 输出驱动能力强,能够快速切换功率开关状态,减少开关损耗。
  6. 工作温度范围宽广,适应恶劣环境下的应用需求。

应用

IR2153S广泛应用于各类功率电子领域,包括但不限于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. 电机驱动系统,用于控制无刷直流电机或步进电机。
  3. 荧光灯及LED驱动电路,提供高效稳定的亮度调节。
  4. 逆变器和太阳能逆变系统,实现能量转换与管理。
  5. 各类工业自动化设备中的功率模块控制部分。

替代型号

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IR2153S参数

  • 标准包装95
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置半桥
  • 输入类型自振荡
  • 延迟时间-
  • 电流 - 峰200mA
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)600V
  • 电源电压10 V ~ 15.6 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装管件
  • 其它名称*IR2153S